0人浏览 | 2023-12-07 10:59 |
前言:伴随着各大厂商集体发力先进封装,先进封装产业也是受到越来越多的关注,而伴随着研究的深入,实际先进封装亦有很多分支,今天主要来分享下其中的3D封装赛道。
据悉,台积电正大举扩产SoIC(系统级集成单芯片)产能,正向设备厂积极追单。业内透露,台积电SoIC是业内第一个高密度3D chiplet堆叠技术,目前台积电SoIC技术刚刚起步,今年底月产能约1900片,预期明年将超过3000片,增幅近60%;2027年有望拉升到7000片以上,是今年底水平的约3.7倍,年复合增速近40%。
先进封装技术通过采用更紧凑、更高级设计和制程技术,可提供更高集成度,更小尺寸,更高性能及更低能耗芯片。通过将多个芯片堆叠,在显著提高集成度及性能时,降低空间需求。在性能与能耗上,先进封装通过优化设计与制程,可大幅提高信号传输速度,降低功耗。在制程技术上,先进封装采用如微细化焊球、超低k材料等创新技术,使得封装电气性能及散热性能有显著提升。
目前先进封装中按照主流可分为2D封装、2.5D封装、3D封装三种类型。
公司是集成电路封装测试服务提供商,为全球客户提供设计仿真和封装测试一站式服务。公司产品、技术、服务全方位涵盖人工智能、高性能计算、大数据存储、显示驱动、5G等网络通讯、信息终端、消费终端、物联网、汽车电子、工业控制等领域。通过并购,公司与 AMD 形成了“合资+合作”的强强联合模式,建立了紧密的战略合作伙伴关系,双方在客户资源、IP 和技术组合上具有高度互补性,有利于 AMD 在 5G、数据中心和汽车市场上进一步迈进。公司是AMD最大封装测试供应商,占其订单总数80%以上,未来随着大客户资源整合渐入佳境,产生协同效应将带动整个产业链持续受益。
长电科技是全球领先的集成电路制造和技术服务提供商,提供全方位的芯片成品制造一站式服务,包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地半导体客户提供直运服务。应市场发展之需,长电科技推出XDFOI多维先进封装平台,该平台是一种面向Chiplet极高密度、多扇出型封装高密度异构集成解决方案,其利用协同设计理念实现了芯片成品集成与测试一体化,涵盖2D、2.5D、3D集成技术,能够为客户提供从常规密度到极高密度,从极小尺寸到极大尺寸的一站式服务。其中XDFOI-2.5D是一种新型TSV-less超高密度晶圆级封装技术,因此,其在系统成本、封装尺寸上都具有一定优势。在设计上,该技术可实现3-4层高密度的走线,其线宽/线距最小可达2um。
在 Chiplet领域,公司现已具备由TSV、eSiFo、3D SiP构成最新先进封装技术平台——3D Matrix。其中晶圆级eSiFO主要应用于Fan-out封装,其优势包括翘曲小、应力低带来高可靠性,生产周期短、高集成度。公司基于eSiFO结合TSV技术,开发eSinC 技术。在eSiFO 技术基础上,可以通过TSV、Bumping 等晶圆级封装技术,实现3D SiP封装,为多芯片异质异构集成提供了可能性。目前Chiplet技术已经实现量产,主要应用于5G通信、医疗、物联网等领域。
芯原股份是一家依托自主半导体IP,为客户提供平台化、全方位、一站式芯片定制服务和半导体IP授权服务的企业。业务范围覆盖消费电子、汽车电子、计算机及周边、工业、数据处理、物联网等行业应用领域。拥有6类自主可控处理器IP(图形处理器IP、神经网络处理器IP、视频处理器IP、数字信号处理器IP、图像信号处理器IP和显示处理器IP)及1,500多个数模混合IP、射频IP及基础IP。
随着集成电路应用的多元化,5G/6G、AI、IoT、高性能运算等新兴应用领域的崛起,电子芯片产品向高效能、高带宽、低成本、低功耗及小面积快速发展,然而摩尔定律的推进速度不断放缓,促使先进封装技术向着系统集成、高速、高频、三维方向推进,成为半导体产业发展的新动力。在先进封装领域,针对Flip chip Bumping、Fan-Out、WLCSP、2.5D/3D TSV等技术,北方华创为客户量身打造的刻蚀设备、沉积设备、炉管设备等已经实现了在主流先进封装企业的批量生产,并不断获得客户的重复采购订单。
华峰测控是一家专注于半导体自动化测试系统领域,少数进入国际封测市场供应商体系的中国半导体设备厂商,产品主要用于模拟及混合信号类集成电路测试,打破该领域长期被国外厂商垄断局面,实现模拟及混合信号类集成电路自动化测试系统进口替代。设计龙头企业陆续采用Fabless+自建封测产线模式(Fab-Lite)以增强自身竞争力,公司作为国内测试机领先企业,充分受益该产业模式趋势,同时,伴随消费终端缓慢复苏,公司也将呈现逐季改善趋势。
若未经平坦化处理,晶片起伏随着层数增多变得更为明显,同层金属薄膜由于厚度不均导致电阻值不同,引起电子迁移造成电路短路。起伏不平的晶片表面还会使得光刻时无法准确对焦,导致线宽控制失效,严重限制了布线层数,降低集成电路的使用性能。CMP 是通过纳米级粒子的物理研磨作用与抛光液的化学腐蚀作用的有机结合,对集成电路器件表面进行平滑处理,并使之高度平整的工艺技术。当前集成电路中主要是通过 CMP 工艺,对晶圆表面进行精度打磨,并可到达全局平整落差 100A°-1000A°(相当于原子级10-100nm)超高平整度。
以上是我自己收集的资料,也就是和大家一起分享下。
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股浪无名龍鼎登基2023-12-07 13:52 2楼
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