同花顺-圈子

　　周末HBM顶上热搜

　　AI需要超高的算力芯片，进而也导致了HBM的需求大增，市场规模持续扩大。

　　现在各大科技巨头也都推出自己的高端芯片，英伟达有A100和H100、AMD有MI200和MI300，谷歌也有专用TPU，市场对HBM的需求也同步大增。

　　2023年HBM需求预计将同比增长58%，2024年更是进一步增长30%。2022年全球HBM市场规模约为36.3亿美元，预计至2026年市场规模将达127.4亿美元，22年到26年的CAGR高达37%。

　　主要生产厂家是海力士、三星、美光；

　　1、GDDR方案：该方案在SoC周围有大量外设。该方案主要通过从GDDR5升级为GDDR6提高带宽，但GDDR如果要增加1GB的带宽将会带来更多的功耗，因此不利于系统性能提升。

　　2、HBM方案：HBM（High-Bandwidth-Memory）是一款新型的CPU/GPU内存片(即“RAM”)，其实就是将很多DDR片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列，每个芯片上都有多个内存通道。

　　HBM升级朝着不断提高存储容量、带宽，减小功耗和封装尺寸方向升级，目前已升级到HBM3。HBM方案最初由英伟达和AMD等半导体公司定义和推动，从最初的1GB存储容量和128GB/s带宽的HBM1发展到目前的24GB存储容量和819GB/s带宽。高速、高带宽的HBM堆栈没有以外部互连线的方式与计算芯片连接，而是通过中间介质层紧凑连接。

　　以HBM2方案为例，相对于GDDR5，HBM2节省了94%的芯片面积。从带宽角度看，一个HBM2堆栈封装的带宽为307Gbyte/s，远高于GDDR5的带宽。

　　大模型算力需求2年提升275倍。2010年以前，深度学习尚未得到广泛应用，主要还是基于统计的方法进行模型搭建，算力需求的增长相对慢，大致每20个月翻一倍。

　　2010-2015年，深度学习模型在传统的自然语言、计算机视觉等领域开始战胜支持向量机等算法，深度学习模型开始成为主流算法，随着神经网络的层数和参数量的提升，算力需求的增长速度也显著加快，大致每6个月翻一倍。2016年之后，人工智能模型开始进入巨量参数时代，算力需求显著提升。根据英伟达的算力统计显示，自2017年之后，以Transformer模型为基础架构的大模型算力需求提升大致是每2年提升275倍。

　　国际大厂的产能扩张，相关产业链也将会直接受益。

　　整体来看，HBM产业链主要由IP、上游材料、晶粒设计制造、晶片制造、封装与测试等五大环节組成。由于国际大厂均采用IDM模式，芯片的设计、制造和封测都由大厂一手包办，国内厂商主要处于上游设备和材料供应环节。

　　1、亚威股份:2021年2月，亚威股份联合亚威产业基金100%收购韩国GSI公司，完成对高端存储芯片测试设备的国产替代。GSI于2014年成立，拥有技术难度较高的存储芯片测试机业务，主要产品包括PAG（光致产酸剂），丅DMAZ（锆前驱体）、Pl（光触媒）等半导体光刻胶的核心主材料。并稳定供货于SK海力士(韩国及中国工厂)、美国安靠等行业龙头。

　　2、3D封装关键原材料：颗粒状环氧塑封料（GMC）HBM由于3D堆叠导致芯片厚度较高，因此需要用特殊的颗粒状环氧塑封料（GMC）封装。全球GMC量产只有2家日系公司掌握，分别是日本住友、日本昭和。为了解决HBM封装厚度增大和散热需求大的问题，GMC需要大量添加核心材料low-α球硅和low-α球铝，成本占GMC中的70%-90%，日本住友、日本昭和的囯内供应商是是联瑞新材，因此直接受益于SK海力士等HBM厂商产能的进一步增加。国内在GMC方面也已经有突破。

　　华海诚科：研发成功颗粒状环氧塑封料（GMC），相关产品已通过客户验证，现处于送样试用阶段。而且华为通过旗下深圳哈勃科技投资合伙企业(有限合伙)参股华海诚科，一旦国内打通HBM制造等全部环节，公司可以顺势打入华为昇腾芯片的供应链中。

　　3、3D封装关键技术：TSV（硅通孔技术）硅通孔技术（TSV）是HBM核心工艺，成本占比接近30%，是HBM封装成本中占比最高的部分，利用该技术才可以实现存储芯片3D堆叠等方面。中微公司是TSV设备主要供应商。在2010年就推出了首台TSV深孔硅刻蚀设备Primo TSV ，提供的8英寸和12英寸硅通孔刻蚀设备，均可刻蚀孔径从低至1微米以下到几百微米的孔洞，其它晶方科技、华天科技，盛美上海。

　　4、主要原材料：前驱体

　　雅克科技：国内主要材料前驱体供应商，SK海力士与合肥长鑫存储的核心供应商，子公司韩国先科是HBM绝对龙头SK海力士前驱体的核心供应商。国家集成电路大基金入股力挺。2022年来自海力士的收入占比50%，子公司韩国先科作为海力士前驱体的核心供应商，将受益于HBM的高增长。国内公司在国内存储厂商中渗透率也在提升，公司前驱体材料与台积电、长江存储等开展合作。另外，公司LDS输送系统已经实现对包括长江存储、中芯国际和上海华虹等国内主流集成电路生产商的批量供应。

　　5、IC载板HBM借助TSV技术实现2.5D+3D先进集成,而IC载板是集成电路先进封装环节的关键载体，实现IC芯片与PCB板之间的讯号连接。在目前应用较广的2.5D+3D的先进封装集成电路中，都采用IC载板作为承载芯片的转接板，国内IC载板相关公司有：兴森科技、深南电路、中富电路（PCB）、胜宏科技等。

　　6、另外，香农芯创是SK海力士的HBM产品的国内代理，同时计划与SK海力士合作开展存储模组业务。

　　7、赛腾股份：公司目前产品已经进入海外头部晶圆厂HBM产线中，国内HBM相关技术的封装测试厂商由于国际三巨头的HBM产品封装测试都是由自己包办，一旦国内打通HBM制造工艺的全部环节，有技术储备的公司将会直接受益。

　　8、创益通 : 高端存储连接器需求或增加，叠加存储底部周期，公司是A股唯一主营存储连接器公司，覆盖NAND，DRAM，闪存等主流存储方式。

　　9、固晶机：新益昌、联得装备

　　HBM核心工艺为TSV，带动电镀、测试、键合需求提升。混合键合推动键合步骤和设备单价增加。HBM高带宽特征拉动键合需求，随着凸点间距逐步缩小，键合技术经历从μbump到TCB/混合键合的升级，推动固晶步骤和固晶机单价提升。

　　10、壹石通：封装材料low alpha球铝，用于hbm封装。全球目前仅日本雅都马能量产low alpha球铝。壹石通全球第二家，国内第一家。

　　封装测试：

　　太极实业：公司旗下的海太半导体（持有55%股权）与SK海力士合资，专为SK海力士提供DRAM封装测试业务。

　　深科技：公司具备8层和16层DRAM堆叠工艺，有望切入HBM封装赛道。

　　通富微电：公司2.5D/3D生产线建成后，将实现国内在HBM高性能封装技术领域的突破；

　　国芯科技：目前正在研究规划HBM内存的2.5D芯片封装技术，积极推进chiplet技术的研发和应用，也将会在AI快速发展需求下估值将受益提升。

　　11月17日龙虎榜回顾，南京熊猫、多伦科技、省广集团为当日龙虎榜净买入额前三，分别为2.02亿元、1.55亿元、1.47亿元。

　　以下是详细的龙虎榜净买入额排名靠前个股信息：

　　龙虎榜中涉及机构专用席位的个股中，当日净买入额前三为中富电路、西陇科学、银宝山新，分别为3724.17万元、3365.71万元、1997.13万元。

　　以下是详细的机构席位净买入额排名靠前个股信息：

　　风控名言：冲动追高易站岗从容低吸方为上。

　　每天的内容量很大且有深度，若独自阅读，要么会遗漏重要投资机会，要么很难理解透彻，建议您跟认识的股民小伙伴结伴研读，定有更多心得跟收获，祝各位粉投资顺利！