同花顺-圈子

　　多家中企展“东道主”之风

　　最新SiC/GaN技术十分吸睛

　　● 中车时代

　　此次展会，中车株洲所携多款功率半导体元件及模块、传感器产品亮相展会，展现中国“芯”的力量。

　　在碳化硅产品方面，中车时代的芯片采用第三代SiC MOSFET、体二极管续流，电压等级覆盖750V-3300V，比导通电阻最低可到3.2mΩ·cm 。模块采用AlSiC基板设计，高性能导热材料，进一步提高模块功率密度，满足汽车、OBC、DC/DC、光伏、轨道交通等复杂应用工况需求。

　　● 基本半导体/青铜剑技术

　　基本半导体/青铜剑技术携自主研发的全系列碳化硅MOSFET、汽车级碳化硅功率模块以及多功能测试设备等产品亮相展会。

　　其中，青铜剑技术门极驱动芯片具备低传输延迟、高CMTI、更大的驱动电流特点，可针对不同应用领域提供高性能的SiC MOSFET、Si IGBT、GaN HEMT、Si MOSFET驱动解决方案。可应用于充电桩、光伏逆变器、车载OBC、光储一体机等领域。

　　此外，他们还展示了2款针对IGBT/SiC功率模组产线自动化测试开发的设备，吸引了众多新老客户和合作伙伴驻足观摩、咨询洽谈。

　　● 安世半导体

　　本次展会上，安世半导体展示了最新的功率半导体器件及晶圆产品。

　　安世半导体在今年推出了650V SiC肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用，并计划不断增加 SiC 二极管产品组合，包括工作电压为650V和1200 V、电流范围为6~20 A 的和车规级器件。同时，安世半导体已经推出了三代650V GaN场效应晶体管，将晶体管封装技术引入到氮化镓技术中。

　　● 百识电子

　　百识电子在本次展会上重点展示了6英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。

　　百识电子可提供4/6英寸的SiC外延片服务，以及6/8英寸的硅基氮化镓和4/6英寸的碳化硅基氮化镓外延片服务。

　　● 合盛新材

　　合盛新材本次携带最新的6英寸SiC衬底产品亮相本次展会。目前合盛新材料正在建设导电型6英寸SiC衬底与外延片产线，已实现投资规模超过10亿元。

　　● 国基南方、中国电科55所

　　会上，国基南方、55所携功率电子板块系列产品精彩亮相，向行业各界展现了Si基、SiC基核心芯片和关键器件模块最新发展成果。作为全国产化SiC IDM企业，国基南方、55所展区重点聚焦功率电子方向，系统展示了新能源汽车用 SiC 芯片器件和功率模块、硅功率芯片器件、光伏储能用SiC器件和IGBT模块等全系列产品，充分彰显了完整的产业链布局和深厚的核心技术能力，吸引了国内外知名企业和高校专家驻足参观了解、深入交流。

　　● 扬杰科技

　　扬杰科技携带晶圆、IGBT、SiC、可控硅等产品首次亮相国内PCIM Asia展，详细全面介绍了在汽车电子、工控、清洁能源等高"信赖性"需求场景的产品解决方案。

　　会上，扬杰科技展出全系列SiC产品，重点展示SiC MOSFET，电压等级覆盖650V/1200V/1700V，导通电阻覆盖20豪欧-1000豪欧，可应用于新能源汽车车载充电系统OBC和DC/DC次级整流，光伏储能逆变器，充电桩和工业电源等应用。

　　● 天域半导体

　　天域半导体是全球领先的SiC外延片供应商，本次其重点展示了6/8英寸SiC外延片产品。

　　天域半导体是我国SiC领域少数具备国际竞争力的企业之一，以先进的SiC外延生长技术为客户提供优良产品和服务，并持续加码大尺寸SiC外延生长技术研发，积极布局8英寸SiC产线。

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　　● 士兰微

　　士兰微本次携高能效IGBT器件、高压大功率模块、高功率SiC器件等等适用于光伏储能、新能源汽车多领域产品参加了本次盛会。

　　SCDP120R013N2P48采用TO247-4L封装的1200V、13.5mΩ的SiC MOSFET基于士兰第二代平面工艺，提供了业界最低的开关损耗和最高的品质因素。适用于电动汽车的快速充电器和高压DC/DC转换器等场景。

　　据了解，其SiC MOSFET汽车主驱模块已通过部分客户测试，有望在今年实现批量生产和交付。

　　● 瞻芯电子

　　瞻芯电子在本次展会上分享了最新的SiC功率半导体产品。

　　具体产品包括最新的第二代650V/1200V和1700V SiC MOSFET、隔离型驱动IVCO1A0x、图腾柱PFC控制芯片IVCC1104等。同时，瞻芯面向不同应用场景开发了多种应用方案，比如20kW 三相PFC、11kW SiC三相电机驱动、2500W 图腾柱PFC电源、200W 1000V反激电源，以及双脉冲测试等辅助测试设备，为客户朋友提供高效的参考设计。

　　● 萃锦半导体

　　萃锦半导体展示了其600V至1700V范围的硅基超结 Si SJ MOSFET、碳化硅 SiC MOSFET 等分立器件，产品主要应用于新能源充电桩、光伏、储能、风电、工业驱动、新能源车等场景和领域。

　　其中，萃锦半导体旗下SiC MOSFET产品通过了不同电流下的电性测试，开关损耗小，产品性能对标国际品牌标准；碳化硅MPS二极管结合了Schottky二极管和PiN二极管的优良特性，实现了低导通压降、低关断漏电流和出色的抗浪涌能力。

　　● 赛晶电子

　　在PCIM Asia展的电力电子应用论坛中，赛晶半导体正式发布了车规级HEEV封装SiC模块。该产品导通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高达250kW电驱系统，并满足电动汽车驱动系统对高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

　　此外，赛晶电子还展示了第二款SiC模块– EVD封装SiC模块，受到了参会者的高度关注。

　　● 派恩杰

　　派恩杰在展会现场展示了从高压SJ功率MOSFET，到面向新能源汽车领域的HPD模块等产品。

　　他们自主研发的1200V，400A，HPD封装三相全桥碳化硅功率模块PAAC12400CM、Easy系列碳化硅模块、超级结MOSFET P1S06027BD等产品受到行业客户伙伴的高度关注。

　　● 翠展微

　　翠展微电子全面展示了其丰富的产品，主要包括IGBT模块和单管、SiC模块和MOS等，应用市场主要是围绕新能源汽车（电控、OBC、PTC）、光伏储能、工业控制等系列产品及解决方案。

　　在车规功率模块领域，翠展微SiC模块目前样品小批阶段的是1200V的DC6I和HPD封装。可满足250KW以内新能源汽车主驱的应用需求。

　　光伏储能领域展出了SiC MOS和模块等，封装主要是TO-247和Easy2B，电压内阻规格主要是1200V/40毫欧 、30毫欧、17毫欧，应用于Boost电路。

　　● 镓未来

　　本次展会镓未来展出了涵盖小中大功率的全线氮化镓应用方案和PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等贴片封装以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封装全系列产品，并且在论坛上分享了700W无桥图腾柱LED电源、2000W双向储能电源和2500W无风扇导冷电源三个基于镓未来氮化镓器件的大功率代表方案。

　　● 纳芯微电子

　　纳芯微电子围绕光伏、储能、充电桩、工业控制、汽车电子等应用领域，全面展示其在传感器、信号链、电源管理三大方向的创新产品和解决方案，包括SiC系列产品、电机驱动、电流传感器等。

　　纳芯微正在不断拓展其汽车应用的产品组合，如应用于汽车主驱电机电流检测的磁电流传感器，同时也在积极开发和验证车规级1200V SiC MOSFET产品。

　　● 芯长征

　　芯长征以“驱动芯世界，畅行新征程”为主题，分别展示了IGBT、MOSFET、SiC等产品。

　　在汽车领域，芯长征重点展示其针对乘用车主驱开发的1200V 40/80mΩ的SiC MOS、750V 820A HPD IGBT模块及750V 400A/600A HybridPACK 1 模块产品。

　　● AOS万国半导体

　　AOS携全新产品及应用技术亮相参与，展出了SiC等系列产品。

　　在新能源汽车专区，AOS展示了通过车载认证(AEC-Q101)的中压LFPAK5x6、GL-PAK10x12 MOS管系列以及即将发布的SiC 功率模块和APACK SiC 逆变器功率模块。

　　其中，AOS SiC 功率模块相较于离散器件具有较高的集成度，适用于不同的电路拓扑，拥有优异的寄生参数和散热性能，适用于大功率且对功率密度有要求的应用场合。而APACK SiC 逆变器功率模块主要应用于电动汽车电机驱动电路。

　　电源解决方案方面，αSiC 碳化硅系列主要针对高功率的电源应用，包括光伏和新能源等领域，规格主要包括1200V/750V/650V，利用SiC器件的高耐压和快恢复特性，为光伏和新能源的电源系统提供更高的效率。

　　● 快克

　　快克芯装备以“功率半导体封装&高可靠性焊接”为主题，向行业展示SiC功率器件封装解决方案、IGBT功率模块封装解决方案、分立器件功率器件封装解决方案、塑封功率模块激光打标 & 去胶设备、功率模块&器件高可靠性焊接等应用场景，助力功率半导体封装量产智造。

　　● 新微半导体

　　新微半导体展示了40V/100V/150V/650V等低、中、高压GaN功率器件工艺平台系列展品，并重点展示了面向不同终端应用领域的外延制造和晶圆代工产品以及先进的技术解决方案。

　　● 安建半导体

　　本次展会上，安建半导体展示了IGBT、SiC、SGT-MOS、SJ-MOS四类全新产品。

　　其中，SiC方面，安建半导体本次展示了650V/1200V的SiC二极管和MOSFET。

　　● 泰克科技

　　泰克展示了2大半导体参数测试系统——DPT1000A功率器件动态测试系统及HTXB-1000D动静态综合老化测试系统。

　　其中，HTXB-1000D动静态综合老化测试系统针对以 SiC/GaN 为首的新型三代半导体功率器件，根据其特有的器件结构和失效机理，在加速老化条件下，有针对性的施加特定压力条件 ( 包括静态压力和动态压力 )，用以测试功率器件器件的漏流指标，以及其他典型特性参数 ( 例如阈值开启电压，导通电阻等关键指标 )，以表征器件的老化特性和工作寿命。

　　● 忱芯科技

　　忱芯科技本次展示了动态特性测试系统与动态可靠性测试系统DEMO。

　　忱芯科技提供SiC/GaN、IGBT功率半导体器件实验室版与产线版全系列ATE测试系统，实现功率半导体器件前道、后道到应用级测试全覆盖。

　　英飞凌、安森美、罗姆...

　　联袂展示SiC新成果

　　● 英飞凌

　　在本次PCIM Asia上，英飞凌以“推动低碳化和数字化”为主旨，展示其在功率半导体和宽禁带技术方面的最新解决方案。

　　在绿色能源与工业展区，英飞凌重点展出了用于光伏发电的2000V 60A EasyPACK CoolSiC MOSFET 3B碳化硅模块，该模块可以在简化系统设计的同时，提高功率密度、降低总体成本；还有光伏组串逆变器用三路45A三电平Boost MPPT模块，该模块由950V IGBT7和1200V SiC二极管构成, 能有效降低IGBT的开关损耗。

　　在电动交通和电动出行展区，英飞凌进行了一系列的技术演示，其中包括使用英飞凌第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模块的电机控制器系统演示等，让现场观众沉浸式地体验和了解英飞凌产品的强大功能和创新特性及其在缓解电动汽车里程焦虑等方面的独特价值。

　　● 安森美

　　安森美携丰富展品盛装亮相，展示了最新一代1200V EliteSiC 碳化硅M3S器件、全新半桥1200V EliteSiC PIM等创新产品。

　　此外，在技术支持层面，为更好帮助工程师进行EliteSiC碳化硅产品系列应用开发及仿真，安森美也在现场展示了引领行业的在线Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具，观众可观看专家演示，也可亲身体验仿真的便捷性和诸多优势。

　　● 罗姆

　　展会首日，罗姆携SiC、GaN等产品亮相展台。

　　在本次展会上，罗姆带来了面向车载应用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列产品展示。据悉，其SiC MOSFET技术实现了业界领先的低导通电阻，充分地减少了开关损耗，并支持15V和18V的栅极-源极电压，有助于在包括汽车逆变器和各种开关电源在内的各种应用中实现显著的小型化和低功耗。

　　此外，罗姆还展示了氮化镓相关的一系列重点产品，包括8V、150V、650V耐压GaN HEMT，以及EcoGaN Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，该产品集GaN HEMT和栅极驱动器于一体，使GaN器件轻轻松松即可实现安装，助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积。

　　● 三菱电机

　　会上，三菱电机携新型3.3kV高压SiC-MOSFET模块、下一代电动汽车专用功率模块4款新品及其他涵盖多个电力电子应用领域的14款经典产品全线亮相，以行业发展和应用为导向，全面展示三菱电机功率器件的产品及技术趋势。

　　在轨道交通领域，三菱电机新开发了一款集成SBD的SiC-MOSFET模块，其规格为3.3kV/800A，它将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流系统提供更大功率密度、更高效率和可靠性；在电动汽车行业，三菱电机正在开发下一代电动汽车专用功率模块。该系列模块拥有1300V和750V两个电压等级，分别采用SiC MOSFET和RC-IGBT芯片技术。

　　● 东芝

　　东芝在展会现场展示了正在量产的6英寸碳化硅晶圆产品、碳化硅模块以及碳化硅单管；此外，他们还带来了大功率压接式IEGT新产品，通过这些新产品，可以更加提高整机的效率和降低损耗。

　　东芝碳化硅MOS模块覆盖1200V、1700V、2200V、3300V电压，具备低杂散电感、低热阻、高可靠性的特点；采用SBD内置技术，而非本体二极管，具备更低的VF和出色的开关性能以及宽VGS控制范围，可广泛应用于光储充行业、数据中心、以及马达。

　　● 富士电机

　　富士电机一直是全球功率半导体主流供应商之一，其本次展示了丰富的产品线。

　　第二代1200V/1700V全SiC模块是富士电机本次的重点展示产品。封装主端子部分采用层压结构，降低了内部电感。另外模块的封装外形继续保持了与传统的硅模块的封装兼容，避免客户在系统结构上做重新设计，节省开发资源。

　　● 赛米控-丹佛斯

　　赛米控-丹佛斯是全球电力电子领域的技术领导者，本次展出产品包括功率模块和系统等。

　　DCM1000X SiC功率模块是本次赛米控-丹佛斯的重点展品之一，其耐压从原来DCM1000的900V提高到了1200V。DCM1000X通过将先进的封装设计与最新的SiC MOSFET相结合，证明了自己是下一代电动汽车牵引逆变器的卓越模块平台。

　　● Power Integrations Power Integrations携带数款门极驱动、汽车电子、电机驱动产品参展，展示了他们在功率半导体/器件的全面方案以及强硬的实力。

　　在此次展会上Power Integrations展示出了多款门极驱动器，包括SCALE-iFlex LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器及InnoSwitch-AQ系列产品，这是一款集成氮化镓或碳化硅高压功率开关的车规电源解决方案。

　　● IVWorks

　　本次IVWorks主要展示了6、8英寸的硅基GaN外延片等产品。IVWorks曾在去年收购了法国材料制造商圣戈班（Saint Gobain）的GaN衬底业务，借此在大功率应用领域提供GaN-on-GaN外延片来扩大产品组合。

　　● CGD CGD是一家专注于GaN技术的无晶圆厂设计公司，本次展示了其独有的高能效GaN解决方案。

　　CGD 本次在中国首推其第二个易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 产品系列。CGD H1和H2系列是单芯片增强模式HEMT，具有3V阈值电压、真正的0V关断，以及可在高达20V电压下工作的革命性栅极方案。