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　　快科技2月1日消息，这是Intel ZAM内存首次公开展示！

　　上周我们报道过，Intel将与软银旗下子公司Saimemory达成深度合作，联合开发名为ZAM（Z-angle memory，Z角内存）的下一代内存新技术，其单芯片最高容量可达512GB，功耗较当前主流的HBM内存降低40%至50%，意在打破HBM的垄断地位。

　　原本以为还很遥远，没想到Intel如此之快就向全球展示了其原型产品。据日本媒体PCWatch报道，在Intel Connection Japan 2026活动上，Intel首次公开展示 ZAM（Z角内存）内存技术原型。

　　Intel院士兼政府技术首席技术官Joshua Fryman和Intel日本首席执行官Makoto Onho出席了此次活动。

　　此次活动主要关注ZAM如何帮助现有解决方案缓解性能和散热方面的瓶颈。这也是该技术首次走出研究论文与新闻稿，以原型形式面向市场。

　　ZAM技术的核心突破在于架构设计，其摒弃了传统内存的垂直布线模式，采用交错互连拓扑结构实现芯片堆叠内部的对角线 “Z 字形” 布线，搭配铜 - 铜混合键合技术让芯片层间高效融合。

　　同时结合无电容设计与Intel成熟的EMIB互连技术，既实现了与AI芯片的高速连接，又大幅降低芯片热阻，散热性能成为其核心优势。

　　相较于目前AI领域主流的 HBM 内存，ZAM的产品优势十分突出：单芯片最高容量可达 512GB，功耗较HBM降低40%-50%，能精准解决AI数据中心能耗高企的行业痛点，而Z形互连设计还进一步简化了制造工艺流程，为后续规模化量产奠定基础。

　　据活动公布的信息，Intel 在ZAM项目中将负责初始投资与战略决策，双方清晰的分工让这项技术的落地路径更为明确。

　　事实上，Intel 早年间曾是DRAM市场的重要参与者，1985年受日本厂商竞争冲击退出该赛道。

　　如今全球 AI 大模型训练、超大规模数据中心运算推动算力需求指数级攀升，DRAM 供应链瓶颈凸显，HBM内存的垄断格局也带来了成本与产能问题，这为Intel的回归提供了重要机遇。依托在先进封装、芯片堆叠领域的深厚技术积累，Intel试图以ZAM技术抢占AI内存市场先机。

　　不过，ZAM技术要实现市场突围仍面临关键考验，其最终能否打破现有市场格局，核心在于能否获得 NVIDIA 等 AI 行业领军企业的采纳，以及后续能否顺利完成量产落地与生态建设。