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调研解读|曙光8000金刚石散热方案亮相央视,金刚石散热落地加速!
0人浏览 2026-09-27 23:11

央视《超级工程-曙光8000》重点报道其中金刚石铜散热器应用。

具体方案:金刚石与裸Die接触,达成“Die-TIM-金刚石铜散热器-液体”的超短散热路径。

目前AI服务器内在探索的金刚石散热方案还包括:1)金刚石铜冷板(无需浸没式液冷);2)金刚石上盖板;3)金刚石衬底等。有望在多个AI芯片方案中落地。

近期产业交流更新:

1)AI芯片内:纯金刚石散热层验证加速,国内外芯片厂均已多次打样。预计首款金刚石散热GPU在27年推出,产业逻辑持续强化。

2)AI服务器内:金刚石铜液冷板已实现商用,曙光金刚石铜服务器已在郑州超算中心跑通,NV链纬颖在5月推出rubin金刚石铜服务器。金刚石铜冷板有望在年内率先放量。

3)光通信内:1.6T可插拔模块功率大幅提升,金刚石材料将应用于TIM凝胶及均热板中;npo/cpo外置光源模组散热需求高,或先应用金刚石铜散热材料。

相关标的:【金刚石】国机精工、沃尔德、四方达、惠丰钻石、宏昌科技等;【TIM&VC】中石科技、德邦科技等。

曙光8000金刚石散热方案亮相央视,金刚石散热落地加速!

央视报道金刚石散热方案!

央视《超级工程—曙光8000》披露曙光8000冷却方案:金刚石散热器直接与芯片裸片焊接,成为唯一通过验证的散热选材。

纯金刚石和金刚石铜路线匹配使用,互相促进。金刚石铜属于远端散热路线,和芯片端热沉片互不干涉、可配套使用,反而属于相互促进,金刚石铜散热使得散热量上限提升,芯片近端解决单一热点温度过高的问题更迫在眉睫。

芯片近端-金刚石热沉片:

应用进展:近端散热路线,解决局部热点、移动热源导致的降频问题。国内多家在做封装表面材料更换测试,国内封装厂已为至少4-5家芯片厂商完成样品打样。

技术路线:晶圆级方案(wafer to wafer)由台积电主推,匹配整片晶圆;chip to wafer是国内主流,单颗die单独贴装金刚石。

成本测算:按计算die面积核算,400平方毫米die单晶热沉片采购约1500元、多晶约2000元,叠加贴装工艺后单颗综合成本提升约2500元;800平方毫米约5000元,1600平方毫米约10000元。搭载2颗400平方毫米die的产品新增成本约5000元,对应近20万元的产品售价,成本占比极低,性价比突出,新品还有4die版本。

性能增益:核心作用是均热防降频,可使芯片设计结温下降约15度,全核心运行频率提升约0.2GHz,部分核心超频可提升0.3-0.4GHz,算力平均提升约20%,能让芯片稳定跑满标称峰值算力,解决原有峰值算力不可持续的痛点。

厂商进度:部分厂商芯片流片已完成,当前处于模组测试阶段,2026年四季度预计小批量量产,量产前预计会有招标流程,2027年Q2正式起量;配置方式为每颗计算die对应一片热沉片。

金刚石复合铜冷板:

定位:远端散热路线,和芯片端热沉片互不干涉、可配套使用,属于纯铜材料的升级优化方案。

量产进展:目前量产规模最大的是曙光,郑州项目10万台浸没式冷板/蒸发器采用铜基掺杂金刚石材料,换热效率比常规纯铜高一倍多。

适配性:兼容被动风冷、液冷、浸没式等多种散热场景,成本提升幅度小,商业化可行性高。

成本效果:仅冷板凸台用金刚石铜的方案,常规冷板约300元/块,升级后成本增加400-500元,上浮10%-15%,可实现降温5-8度;全板采用金刚石铜的成本至少比传统冷板贵一倍。

重点看好沃尔德在金刚石散热片在GPU端、金刚石铜冷板在F、L等客户落地进展,持续关注国机精工,四方达,力量钻石。

金刚石:资本开支聚焦MPCVD,下游验证导入进入关键期——产业链调研反馈

本周集中调研金刚石产业链,核心变化主要集中在资本开支、下游验证、技术路线等维度,行业0-1拐点信号明确。

1️⃣MPCVD扩产动作高度统一,工艺和规模化能力是核心壁垒

(1)头部企业均有千台级规划,长晶高耗电,部分选址新疆、内蒙等低电价区域;MPCVD设备自主可控,国产化率超80%,不构成扩产瓶颈。

(2)设备与工艺的配合是规模化量产的关键。GJJG、SFD设备自研自制,WED自研+合作开发。自研自制可压低折旧,同时长晶工艺与设备的匹配,直接决定热导率、良率,进而决定能否通过验证、实现批量供货。

2️⃣下游对接更频繁,处于验证导入关键期

(1)金刚石散热产品送样验证频次明显增加,有企业反馈打样产能紧张,应用场景覆盖算力芯片、消费电子、新能源车、光模块等领域。

(2)国内散热进展及覆盖广度有望超预期。国内芯片制程受限,热管理问题更尖锐,迫切需要解决近端散热问题以提升算力表现。多数芯片企业已流片打样,模组测试阶段。HG预计2026年底前方案定型,随后小批量;展望2027年,若先行企业采用,其他将快速跟进,有望成为芯片近端散热标配。

3️⃣技术路线上,CVD金刚石与金刚石铜双线并行

(1)单晶CVD的成本及热导率优势被重点提及。单晶长晶速度10-20μm/h,热导率1800-2200W/m·k,而多晶2-5μm/h,1200-1500W/m·K;单晶稳定量产1.5-2英寸,国内C2W方案中尺寸与Die匹配,单晶尺寸不再是劣势。

(2)金刚石铜冷板材料,国内曙光已规模应用,海外测试推进中。海外Nv自5月起通过国内中间商对接送样,结构和工艺已多轮调整。

核心组合:国机精工、沃尔德、力量钻石;

重点关注:四方达、惠丰钻石、黄河旋风。

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