同顺号-创作平台

• 最终网上中签率：0.47141739%
• 对比参考：普通科创板新股平均中签率仅 0.036%，长鑫中签率是常规新股13 倍左右，创 2026 年内新股、科创板历史高中签纪录
• 核心发行配套数据
• 发行价：8.66 元 / 股，一签 500 股，中签缴款4330 元
• 网上有效申购户数：942.88 万户，有效申购股数 8169.2 亿股
• 网上发行总量 38.51 亿股，触发回拨 + 绿鞋机制抬高中签率
• 中签缴款日：7 月 20 日，正式上市日：7 月 27 日
• 发行基准市值（发行定价对应）发行后总股本 668.81 亿股，发行静态市值5792 亿元（绿鞋未行使）；全额绿鞋募资 666 亿，是科创板史上最大 IPO 募资项目

1. 保守估值（周期走弱、仅对标海外成熟存储）

• 市值区间：1.0 万亿 —1.8 万亿元
• 代表机构测算：国投证券保守值 1.1 万亿，对应股价 16 元；安全底线市场共识 1.5 万亿
• 测算逻辑：仅按现有 DRAM 产能、海外存储巨头稳态 PB/PE 估值，不给予 AI、国产替代溢价

• 市值区间：2 万亿 —3 万亿元
• 头部券商目标：华西证券 2–3 万亿、国投证券中性 2.3 万亿
• 对应股价：29.9 元～44.9 元；中一签盈利 1 万～1.8 万元
• 核心支撑逻辑：
• ① 国内唯一自主量产 DRAM 厂商，国产替代稀缺性；
• ② AI 算力拉动 HBM 高端存储持续涨价，行业进入景气上行周期；
• ③ 2026 全年机构预测净利润超 1000 亿，动态估值匹配海外三星 / 美光

• 市值区间：3.5 万亿 —5 万亿元
• 对应股价 52.3 元～74.8 元，极端行情下中一签盈利最高超 3 万元
• 适用场景：AI 资本开支超预期、存储价格持续暴涨、半导体板块集体牛市行情

三、关键风险提示

• 发行静态市盈率 308.92 倍，大幅高于半导体行业均值 76.32 倍，短期估值透支风险明显；
• DRAM 行业强周期性，存储价格下行会直接压制业绩与市值；
• 机构估值均为情景预测，上市实际价格受当日资金情绪、板块行情影响波动极大，不构成投资建议。