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美光高管:内存短缺2028年前难解,AI需求爆发导致产能不够
0人浏览 2026-01-13 11:12

  极客网·芯片1月13日 全球存储巨头美光科技高管近日对外明确表示,尽管行业已投入巨额资金扩产,但内存短缺问题在 2028 年前难以实质性改善,这一结论背后,是 AI 需求爆发、制造复杂度攀升与新产能释放缓慢三重因素的深度交织。

  从需求端看,AI 正彻底重构内存市场结构。当前数据中心与 AI 相关需求占 DRAM 市场比重,已从过去的 30%-40% 飙升至 50%-60%,单台 AI 服务器对内存的需求是传统服务器的 8-10 倍。

  对此美光移动与客户端业务营销副总裁 Christopher Moore 强调,这并非单一厂商的资源分配问题,而是全行业面临的 “产能不够用” 困境。三星、SK 海力士等头部企业均将资源向 HBM(高带宽内存)、DDR5 等高端产品倾斜,进一步挤压消费级内存供应,直接引发价格暴涨。2025 年 9 月以来,DDR5 内存颗粒现货价涨超 300%,256GB DDR5 服务器内存条单价突破 4 万元,部分甚至逼近 6 万元。

  供应端的制约更难突破。美光明确否认 “多买设备就能扩产” 的简单逻辑,当前 DRAM 生产的核心瓶颈是产品规格碎片化导致的产线切换损耗。手机、PC 厂商对 8GB、12GB、16GB 等不同容量内存的并行需求,迫使晶圆厂频繁切换芯片设计(DID),直接拉低有效产出。为最大化位元输出,厂商不得不减少规格种类、拉长单一产品生产周期,却仍难抵 AI 需求的增量冲击。

  新产能释放节奏则进一步拉长短缺周期。以美光为例,其美国爱达荷州 ID1 晶圆厂虽将投产时间从 2027 年底提前至年中,但从设备导入、工艺爬坡到客户认证,真正形成规模化出货还需时间。Moore 指出,只有新产线完成全面认证并稳定运行,内存供需才可能出现拐点,而这一时间点大概率落在 2028 年。

  值得关注的是,消费市场并未被放弃,而是渠道形态发生变化。美光虽退出 Crucial 消费品牌,却通过 OEM 模式持续向戴尔、华硕等整机厂商供应 LPDDR、DDR 模块,只是在 AI 需求优先级上升的背景下,消费端供应短期难以同步跟上。

  对行业而言,这场短缺并非短期波动。TrendForce 等机构预测,2026 年 DRAM 位元供应增幅仅 15%-20%,需求增速却达 20%-25%,价格仍将高位运行。而对终端企业与消费者来说,手机、PC 等产品成本压力将持续,中低端机型或面临提价或缩减配置的选择,这场由 AI 引发的 “内存荒”,预计将深刻影响科技产业链至 2028 年。

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