同花顺-圈子

　　「第三代半导体」在多个领域崭露头角，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为主的第三代化合物半导体已然成为产业端、投资界及各地政府的宠儿，这得益于其自身优秀的物理特性及产业端的快速拉动。

　　需求端

　　如上文所述，三代半导体材料适合诸多场景的使用，并且在这些场景中，中国几乎都是全球单一的最大市场国。其中，SiC功率器件因其耐高压，耐高温，低能耗，小型化的特点，可以广泛的应用于电动/混动汽车、充电桩/充电站、高铁轨交、光伏逆变器中。

　　GaN功率器件凭其高频率、低损耗、低成本的特点，可以广泛使用于智能终端快充、数据中心、车规级充电场景中。GaN微波器件因其高频率、高功率、高效率可以广泛地应用于宏基站/小微基站、智能终端、军用雷达、卫星通讯等领域。

　　供给端

　　近年来随着工艺的进步及下游市场的拉动，三代半导体已经初步具备产业化的基础，价格亦达到了量产“甜蜜点”。

　　全球范围内，衬底和外延由4寸向6寸线转移，Cree已有8寸样品出货，未来5年将达到量产标准。三代半导体器件价格近年来持续下降，2023-2024年，SiC模块价格有望达到硅基器件价格的3倍以内，已具备产能快速爆发的必要条件。

　　网络公开数据

　　国家政策明确，重点解决“卡脖子“问题，政府参与扮演投资人角色

　　近年来，在国家及地方政府层面，多次出台行业扶持政策，重点发展第三代半导体产业，解决半导体行业“卡脖子“问题。在火热的市场环境下，各地政府也积极参与到三代半导体项目的投资建设当中。

　　因三代半导体投资规模相对较低，产业链上游的材料及生产环节不再集中于一二线城市，而是全国遍地开花。根据《火热的投资环境以及政策保障下，我国SIC产业已完成基本布局》一文的整理数据显示，2018-2020年，我国仅SiC项目政府投资达到32个，计划投资金额超过700亿。

　　近两年的投资热潮，也使得该领域的企业普遍估值偏高，产生了泡沫，一些项目在未来3-5年很可能难以落地，行业将迎来一次洗牌。

　　数据来源：网络公开数据，华映资本整理

　　数据来源：《火热的投资环境以及政策保障下，我国SiC产业已完成基本布局》