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无线充电的核心氮化镓!板块都涨了,它还没涨!是机会吗?深度解析台基股份!
0人浏览 2020-07-29 20:35

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事件驱动:近日,苏州美思迪赛半导体技术有限公司推出了国内首颗具备量产条件的氮化镓快充主控+栅极驱动器SOC芯片MX6535,使其成为了国内首家掌握氮化镓控制及驱动技术的公司,并在全球范围内成为继美国TI和安森美之后的第三家推出氮化镓驱动及控制器的公司。这也是国内首颗具备量产条件的氮化镓快充主控制芯片,打破了国内没有氮化镓控制IC和驱动IC的局面。

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行业前景:

从行业发展来看,半导体技术发展经历了三代变化,第一代的半导体材料主要指硅、锗元素半导体材料;第二代及第三代半导体材料主要指化合物半导体材料。作为高功率、高频操作适合现在功率器件趋势的第三代半导体材料主要是指以碳化硅(SiC)氮化镓(GaN)为代表的禁带宽度大于3eV的宽禁带半导体材料。纵观近期全球SiC 电力电子器件市场,高效率、高能量密度电源供应和光伏逆变器应用越来越多地使用SiC 电力电子器件。2018以来,随着电动汽车特斯拉MODEL3采用650 V SiC MOSFET 作为电驱的关键器件,SiC电力电子器件已于电动汽车应用领域呈现爆发式的增长,并引发全球衬底/器件供应商如科锐、罗姆、英飞凌的积极扩产,呈现供不应求的局面。(天风证券陈俊杰《20 年轻装上阵,IGBT 引领未来》2020-7-29)

核心优势:

公司于2019年8月4日披露定增方案,公司拟向包括屹唐同舟、汉江控股、王鑫及邢雁在内的不超过 5 名特定对象,发行股份不超 4262.4 万股,募资不超过 7 亿元,投入新型高功率半导体器件产业升级项目。定增项目包括 IGBT 模块封测线(兼容 SiC 等第三代宽禁带半导体功率器件)、高功率半导体脉冲功率开关生产线、晶圆线扩建项目(配合固态脉冲开关)和新型高功率半导研发和营销中心项目。(天风证券陈俊杰《20 年轻装上阵,IGBT 引领未来》2020-7-29)

风险提示:

新能源汽车普及、公司 IGBT 项目量产、公司研发进度不及预期。 

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